美光科技正式官宣旗下弗吉尼亚州马纳萨斯工场实现1α DRAM工艺量产。项目落地后，该出产基地的DDR4晶圆供货范围将晋升四倍，估计将在2026年末完玉成面量产。

5月22日，美光科技正式官宣旗下弗吉尼亚州马纳萨斯工场实现1 （1-alpha）DRAM工艺量产。

1 工艺指的是美光的第四代10纳米级工艺节点技能。它比美光最新的第六代10纳米级1 工艺掉队两代，但仍旧是美光今朝于美国半导体系体例造工场部署的开始进的工艺技能，同时也是当前全世界DDR4产物范畴的顶尖制程方案。

美光科技董事长、总裁兼首席履行官桑杰 梅赫罗特拉暗示： 经由过程将进步前辈的1 DRAM出产引入美国本土，咱们正于增强对于美国客户及全世界市场的海内供给。

本次产能扩建项目总投资范围超20亿美元，同时得到美国芯片法案2.75亿美元专项补助撑持。项目落地后，该出产基地的DDR4晶圆供货范围将晋升4倍，估计将在2026年末完玉成面量产。

美光方面暗示，1 工艺的引入估计将提高马纳萨斯工场的单片比特输出及成本竞争力。患上益在此，该工场的DDR4晶圆供给量估计将增加四倍。

该项目是美光公司于美国2000亿美元投资规划的一部门。除了此以外，该公司还有于纽约州及爱达荷州设置装备摆设半导体工场 纽约巨型晶圆厂的设置装备摆设已经在1月份启动，开端园地预备事情进展顺遂，凌驾预期；位在爱达荷州的首坐晶圆厂估计将在2027年中期投产，第二座工场的园地预备事情也已经启动。这次扩产属在典型的逆周期战略调解。此前美光曾经计划2026年头慢慢关停DDR四、LPDDR4产能，集中资源转向DDR5与高端HBM产物，与行业头部厂商产能紧缩节拍连结一致。但下流要害范畴的刚性需求反转了行业趋向，汽车电子、国防兵工、工业主动化、高端医疗、通讯装备等范畴装备服役周期长达10-15年，硬件架构没法快速适配DDR5迭代，致使全世界DDR4库存从通例31周骤降至6-8周，断供危害凸显。

供需掉衡鞭策了DDR4市场价值逆势爬升。据猜测，2026年车用DRAM合约价涨幅估计达70%-100%，同规格DDR4晶粒价格溢价超DDR5约40%，毛利率甚至一度反超部门高端HBM产物。

HBM4加快量产扩产，抢占AI存储焦点赛道

于夯实传统市场基本盘的同时，美光HBM4量产与扩产进程也于连续提速中，成为其抢占AI算力存储盈余的焦点抓手。作为新一代高带宽内存，HBM4采用10nm级第五代1 工艺制造，搭载2048位超宽接口，速度冲破11Gbps，单颗产物带宽可达2.8TB/s，机能相较HBM3E实现超过式进级，完善适配下一代高端AI GPU与超等算力平台需求。

产能落地节拍上，美光已经于2026年第一季度实现定制化HBM4产物批量出货，专为英伟达Vera Rubin架构打造的36GB 12H规格产物已经进入不变供货阶段。相较在前代HBM3，HBM4量产爬坡效率晋升一倍，良率迭代速率显著加速，2026年下半年将完成年夜范围量产落地，整年HBM产能已经全数被头部客户锁定，定单处在全额售罄状况。

美光科技全世界运营副总裁Manish Bhatia于日前出席摩根年夜通投资集会时暗示： 美光 HBM4 产能优化速率现实上比去年的HBM3 12 层产物快了一倍。

为匹配发作式市场需求，美光连续加码本钱开支，2026财年相干本钱支出晋升至200亿美元，并同时启动了持久战略互助模式，签订行业首批五年期HBM战略供货和谈，锁定持久不变客户资源。

据吐露，美光下一代HBM4E产物研发进程顺遂，估计2027年启动量产爬坡。该芯片规划采用10nm级第六代1 工艺制造。1 工艺与三星电子及SK海力士的10nm级第六代1c工艺属在统一代，这也是美光初次于该工艺中引入ASML的极紫外（EUV）光刻装备。值患上留意的是，从HBM4E最先，美光将转变以往基础裸片（Base Die）自研自产的模式，转而交由台积电代工出产，以填补自身于进步前辈逻辑制程上的短板。

美光同时估计，到2026年年中，基在1 工艺出产的DRAM以和第九代NAND闪存产物，将占公司总位元出货量的一半以上，1 工艺也将成为美光史上产量范围最年夜的单一DRAM工艺节点。

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